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文献
J-GLOBAL ID：202002261005316579
整理番号：20A0788463
多孔質シリコン多層膜によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合の交流インピーダンス分光研究【JST・京大機械翻訳】
Alternating current impedance spectroscopic investigation of an a-Si:H/c-Si heterojunction with porous silicon multilayers
Seba H.Y.
(Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria)
,
Seba H.Y.
(Laboratoire des Materiaux, Technologie des systemes energetiques et environnement, Faculte des sciences et de technologie, Universite de Ghardaia Noumirat BP 455, route de Ouargla, 47000, Ghardaia, Algeria)
,
Hadjersi T.
(Centre de recherche de la Technologie des semiconducteurs pour l’energetique CRTSE, 02 Bd Frantz, Fanon, Algiers, Algeria)
,
Zebbar N.
(Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria)
,
Brighet A.
(Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria)
,
Berouaken M.
(Centre de recherche de la Technologie des semiconducteurs pour l’energetique CRTSE, 02 Bd Frantz, Fanon, Algiers, Algeria)
,
Manseri A.
(Centre de recherche de la Technologie des semiconducteurs pour l’energetique CRTSE, 02 Bd Frantz, Fanon, Algiers, Algeria)
,
Chabane L.
(Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria)
,
Kechouane M.
(Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 699 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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