文献
J-GLOBAL ID:202002261364188557
整理番号:20A1046940
透過偏光顕微鏡によるSiCウエハの結晶欠陥と転位解析
Crystal Defect and Dislocation Analysis of SiC Wafers by Transmission Polarization Microscopy
著者 (5件):
TAKENAKA Kensuke
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
TAKENAKA Kensuke
(Fuji Electric)
,
TAWARA Takeshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
,
TAWARA Takeshi
(Fuji Electric)
,
KATO Tomohisa
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名:
Fuji Electric Review
(Fuji Electric Review)
巻:
65
号:
4
ページ:
254-260
発行年:
2019年12月30日
JST資料番号:
S0167A
ISSN:
0429-8284
CODEN:
FUERB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)