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文献
J-GLOBAL ID:202002261364188557   整理番号:20A1046940

透過偏光顕微鏡によるSiCウエハの結晶欠陥と転位解析

Crystal Defect and Dislocation Analysis of SiC Wafers by Transmission Polarization Microscopy
著者 (5件):
TAKENAKA Kensuke
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
TAKENAKA Kensuke
(Fuji Electric)
TAWARA Takeshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
TAWARA Takeshi
(Fuji Electric)
KATO Tomohisa
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))

資料名:
Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)

巻: 65  号:ページ: 254-260  発行年: 2019年12月30日 
JST資料番号: S0167A  ISSN: 0429-8284  CODEN: FUERB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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