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文献
J-GLOBAL ID：202002261448969849
整理番号：20A2802296
シリコン光起電力用の両極性不動態化裏面電界層【JST・京大機械翻訳】
Ambipolar Passivated Back Surface Field Layer for Silicon Photovoltaics
Kang Sung Bum
(School of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea)
,
Park Won Jin
(School of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea)
,
Jeong Myeong Hoon
(School of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea)
,
Kang So-Huei
(School of Energy and Chemical Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea)
,
Yang Changduk
(School of Energy and Chemical Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea)
,
Choi Kyoung Jin
(School of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan, 44919, Republic of Korea)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 30 号： 50 ページ： e2004943 発行年： 2020年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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