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文献
J-GLOBAL ID：202002261549280356
整理番号：20A0763578
ポリエチレンテレフタレート基板上の透明導電性非晶質In_2O_3:Zn膜における低電気抵抗率と高仕事関数を達成するためのエキシマレーザアニーリング法【JST・京大機械翻訳】
Excimer laser annealing method for achieving low electrical resistivity and high work function in transparent conductive amorphous In2O3:Zn films on a polyethylene terephthalate substrate
Nomoto Junichi
(Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
,
Yamaguchi Iwao
(Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
,
Nakajima Tomohiko
(Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
,
Matsubayashi Yasuhito
(Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
,
Tsuchiya Tetsuo
(Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 698 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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