文献
J-GLOBAL ID:202002261578944389
整理番号:20A0877292
14nm RF FinFET技術におけるPMOSとNMOSの比較:RF特性とコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】
Comparison of PMOS and NMOS in a 14-nm RF FinFET technology: RF Characteristics and Compact Modeling
著者 (4件):
Zhang Jiabi
(Auburn University,Electrical and Computer Engineering Department,AL,USA,36849)
,
Niu Guofu
(Auburn University,Electrical and Computer Engineering Department,AL,USA,36849)
,
Cai Will
(MaxLinear Inc.,Carlsbad,CA,USA,92008)
,
Imura Kimihiko
(MaxLinear Inc.,Carlsbad,CA,USA,92008)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
SIRF
ページ:
47-49
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)