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文献
J-GLOBAL ID：202002261817978916
整理番号：20A0786130
Ge-Sn-Te相変化メモリ材料における抵抗ドリフト抑制の化学的理解【JST・京大機械翻訳】
Chemical understanding of resistance drift suppression in Ge-Sn-Te phase-change memory materials
Chen Yuhan
(Center for Advancing Materials Performance from the Nanoscale, State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
,
Sun Liang
,
Zhou Yuxing
,
Zewdie Getasew M.
,
Deringer Volker L.
,
Mazzarello Riccardo
,
Zhang Wei
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8 号： 1 ページ： 71-77 発行年： 2020年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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