前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:202002261918253070   整理番号:20A2088150

パルスレーザ法によって作製した炭素膜とGaAs構造の性質に及ぼすそれらの影響【JST・京大機械翻訳】

Carbon Films Produced by the Pulsed Laser Method and Their Influence on the Properties of GaAs Structures
著者 (14件):
Danilov Yu. A.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Danilov Yu. A.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Ved’ M. V.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Vikhrova O. V.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Dikareva N. V.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Drozdov M. N.
(Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia)
Zvonkov B. N.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Kovalskiy V. A.
(Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region, Russia)
Kriukov R. N.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Kudrin A. V.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Kudrin A. V.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Lesnikov V. P.
(Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Yunin P. A.
(Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia)
Andreev A. M.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)

資料名:
Semiconductors  (Semiconductors)

巻: 54  号:ページ: 1059-1063  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。