文献
J-GLOBAL ID:202002262350955154
整理番号:20A0914120
垂直GaN電力ダイオードのためのかさ端終端【JST・京大機械翻訳】
Bevel Edge Termination for Vertical GaN Power Diodes
著者 (7件):
Binder Andrew T.
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
,
Dickerson Jeramy R.
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
,
Crawford Mary H.
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
,
Pickrell Greg W.
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
,
Allerman Andrew A.
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
,
Sharps Paul
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
,
Kaplar Robert J.
(Sandia National Laboratories,Albuquerque,NM,USA,87185)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
WiPDA
ページ:
281-285
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)