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文献
J-GLOBAL ID：202002262737390826
整理番号：20A2216684
メモリスタメモリのための変動耐性,低電力,高耐久性読取方式【JST・京大機械翻訳】
Variation-tolerant, low-power, and high endurance read scheme for memristor memories
Ravi V.
(School of Electronics Engineering, Vellore Institute of Technology, Chennai, India)
,
Chitra K.
(School of Electronics Engineering, Vellore Institute of Technology, Chennai, India)
,
Prabaharan S. R. S.
(SRM Research Institute, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur, India)
資料名：
Analog Integrated Circuits and Signal Processing
(Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 105 号： 1 ページ： 83-98 発行年： 2020年
JST資料番号： W0439A ISSN： 0925-1030 CODEN： AICPEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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