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文献
J-GLOBAL ID：202002262940720978
整理番号：20A0918888
局所場変調による再新鮮時間の535%増強による半浮動メモリ【JST・京大機械翻訳】
A Semi-Floating Memory with 535% Enhancement of Refresh Time by Local Field Modulation
Ding Yi
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Liu Lan
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Li Jiayi
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Cao Rongrong
(Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China)
,
Jiang Yu-Gang
(School of Computer Science, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Liu Chunsen
(School of Computer Science, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Liu Qi
(Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China)
,
Zhou Peng
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 30 号： 15 ページ： e1908089 発行年： 2020年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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