文献
J-GLOBAL ID:202002263173310827
整理番号:20A2786907
機械的せん断応力に起因する(100)シリコンにおけるHall効果デバイスの高感度方向のドリフト【JST・京大機械翻訳】
Drift of the sensitive direction of Hall-effect devices in (100)-silicon caused by mechanical shear stress
著者 (4件):
Ausserlechner Udo
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, A-9500 Villach, Austria)
,
Holliber Michael
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, A-9500 Villach, Austria)
,
Kollmitzer Benjamin
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, A-9500 Villach, Austria)
,
Heinz Richard
(Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, Germany)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
174
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)