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文献
J-GLOBAL ID：202002263742408332
整理番号：20A0528499
薄い硫化インジウム層を用いたCu(In,Ga)Se_2光起電力吸収体の表面不動態化【JST・京大機械翻訳】
Surface passivation of a Cu(In,Ga)Se2 photovoltaic absorber using a thin indium sulfide layer
Moon Doohyung
(School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea)
,
Gedi Sreedevi
(School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea)
,
Alhammadi Salh
(School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea)
,
Minnam Reddy Vasudeva Reddy
(School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea)
,
Kim Woo Kyoung
(School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 510 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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