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文献
J-GLOBAL ID：202002264337219197
整理番号：20A1114683
水素化非晶質Siで表面不動態化した歪んだGeオン絶縁体からの光ルミネセンスの増強【JST・京大機械翻訳】
Enhanced photoluminescence from strained Ge-on-Insulator surface-passivated with hydrogenated amorphous Si
Niikura Kenta
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
,
Yamahata Natsuki
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
,
Hoshi Yusuke
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
,
Takamura Tsukasa
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
,
Saito Kimihiko
(Faculty of Symbiotic Systems Science, Fukushima University, 1 Kanayagawa, Fukushima, 960-1296, Japan)
,
Konagai Makoto
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
,
Sawano Kentarou
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 115 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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