文献
J-GLOBAL ID:202002264923432793
整理番号:20A0900122
Al-Zn-O薄膜トランジスタの電気的性能と安定性に及ぼすポストアニーリングプロセスの影響【JST・京大機械翻訳】
The Effects of Post Annealing Process on the Electrical Performance and Stability of Al-Zn-O Thin-Film Transistors
著者 (7件):
Zhou Xiaobin
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Han Dedong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Dong Junchen
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Li Huijin
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Yi Zhuang
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Zhang Xing
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wang Yi
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
41
号:
4
ページ:
569-572
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)