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文献
J-GLOBAL ID：202002265707221660
整理番号：20A1410915
スパッタ核形成層を有する微斜面サファイア基板上の面から面アニールしたMOVPE成長AlNの結晶品質の改善【JST・京大機械翻訳】
Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer
Kuboya Shigeyuki
(Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
,
Uesugi Kenjiro
(Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
,
Shojiki Kanako
(Graduate School of Engineering, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
,
Tezen Yuta
(Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
,
Norimatsu Kenji
(Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
,
Miyake Hideto
(Graduate School of Engineering, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
,
Miyake Hideto
(Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 545 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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