文献
J-GLOBAL ID:202002266297817204
整理番号:20A2624223
無接合ゲートオールアラウンド電界効果トランジスタのためのシリコンとIII-Vチャネル材料の性能解析【JST・京大機械翻訳】
Performance Analysis of Silicon and III-V Channel Material for Junctionless-Gate-All-Around Field Effect Transistor
著者 (5件):
Rasol M. F. M.
(Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310)
,
Hamid F. K. A.
(Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310)
,
Johari Zaharah
(Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310)
,
Arsat Rashidah
(Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310)
,
Yusoff M.F.M.
(Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
SCOReD
ページ:
1-5
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)