文献
J-GLOBAL ID:202002266847826671
整理番号:20A0874699
FD-SOI技術におけるNMOSトランジスタ上の活性ケイ化物源に対するその場熱支援回復【JST・京大機械翻訳】
In-situ thermal assist recovery thanks to active silicide source on NMOS transistor in FD-SOI technology
著者 (3件):
Galy Ph.
(3IT, Universite de Sherbrooke,Canada,J1KOA5)
,
Lethiecq R.
(STMicroelectronics,850 rue Jean Monnet, Crolles Cedex,France,F-38926)
,
Bawedin M.
(Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
1-4
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)