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文献
J-GLOBAL ID：202002266991447540
整理番号：20A2707308
4H-SiCおよび6H-SiC基板のスクラッチングにおける材料除去の分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Molecular dynamics simulation of the material removal in the scratching of 4H-SiC and 6H-SiC substrates
Tian Zige
( Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen, Fujian Province, People’s Republic of China)
,
Tian Zige
( Faculty of Engineering and Technology, Liverpool John Moores University, Liverpool, United Kingdom)
,
Chen Xun
( Faculty of Engineering and Technology, Liverpool John Moores University, Liverpool, United Kingdom)
,
Xu Xipeng
( Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen, Fujian Province, People’s Republic of China)
資料名：
International Journal of Extreme Manufacturing
(International Journal of Extreme Manufacturing)
巻： 2 号： 4 ページ： 045104 (15pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W5579A ISSN： 2631-7990 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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