文献
J-GLOBAL ID:202002266991447540
整理番号:20A2707308
4H-SiCおよび6H-SiC基板のスクラッチングにおける材料除去の分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Molecular dynamics simulation of the material removal in the scratching of 4H-SiC and 6H-SiC substrates
著者 (4件):
Tian Zige
( Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen, Fujian Province, People’s Republic of China)
,
Tian Zige
( Faculty of Engineering and Technology, Liverpool John Moores University, Liverpool, United Kingdom)
,
Chen Xun
( Faculty of Engineering and Technology, Liverpool John Moores University, Liverpool, United Kingdom)
,
Xu Xipeng
( Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen, Fujian Province, People’s Republic of China)
資料名:
International Journal of Extreme Manufacturing
(International Journal of Extreme Manufacturing)
巻:
2
号:
4
ページ:
045104 (15pp)
発行年:
2020年
JST資料番号:
W5579A
ISSN:
2631-7990
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)