文献
J-GLOBAL ID:202002267013176861
整理番号:20A2453333
個々のデバイス特性評価に基づくグラフェンFET技術の接触抵抗抽出【JST・京大機械翻訳】
Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization
著者 (3件):
Pacheco-Sanchez Anibal
(Departament d’Enginyeria Electronica, Escola d’Enginyeria, Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra 08193, Spain)
,
Feijoo Pedro C.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Escola d’Enginyeria, Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra 08193, Spain)
,
Jimenez David
(Departament d’Enginyeria Electronica, Escola d’Enginyeria, Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra 08193, Spain)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
172
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)