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文献
J-GLOBAL ID：202002267219021861
整理番号：20A2232892
2点接触hBN/グラフェン/hBNヘテロ構造デバイスにおけるElectron輸送と電流アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】
Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted hBN/graphene/hBN heterostructure device
Schnitzspan Leo
(Institute of Physics, Johannes Gutenberg-University Mainz, 55122 Mainz, Germany)
,
Tries Alexander
(Institute of Physics, Johannes Gutenberg-University Mainz, 55122 Mainz, Germany)
,
Klaeui Mathias
(Institute of Physics, Johannes Gutenberg-University Mainz, 55122 Mainz, Germany)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 128 号： 12 ページ： 124302-124302-7 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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