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文献
J-GLOBAL ID：202002267289199003
整理番号：20A0394905
歪エンジニアリング下の単分子層α-In_2Se_3における強誘電性とトポロジカル相転移の共存【JST・京大機械翻訳】
The coexistence of ferroelectricity and topological phase transition in monolayer α-In2Se3 under strain engineering
Jiang Xingxing
(Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China)
,
Feng Yexin
(Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China)
,
Chen Ke-Qiu
(Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China)
,
Tang Li-Ming
(Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32 号： 10 ページ： 105501 (8pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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