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J-GLOBAL ID:202002267868033522   整理番号:20A2501585

280nm AlGaN LED応用のためのp電極構造の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of p-electrode structures for 280 nm AlGaN LED applications
著者 (8件):
Chang Kai-Ping
(Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China)
Jheng Jhih-Yuan
(Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China)
Huang Shih-Yung
(Department of Industrial Engineering and Management, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan, Republic of China)
Wang Wei-Kai
(Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan, Republic of China)
Horng Ray-Hua
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan, Republic of China)
Wuu Dong-Sing
(Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China)
Wuu Dong-Sing
(Innovation and Development Center of Sustainable Agriculture, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China)
Wuu Dong-Sing
(i-Center for Advanced Science and Technology, National Chung Hsing University 40227, Taiwan, Republic of China)

資料名:
Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)

巻: 35  号: 10  ページ: 105023 (8pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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