文献
J-GLOBAL ID:202002268147038444
整理番号:20A2553480
可変利得と容量分離高サイドGaN-FETを有する共振ゲートドライバ【JST・京大機械翻訳】
A Resonant Gate Driver with Variable Gain and a Capacitively Decoupled High-Side GaN-FET
著者 (3件):
Ellis Nathan Miles
(University of California Davis,Department of Electrical and Computer Engineering,Davis,CA,95616)
,
Sousa Evan
(University of California Davis,Department of Electrical and Computer Engineering,Davis,CA,95616)
,
Amirtharajah Rajeevan
(University of California Davis,Department of Electrical and Computer Engineering,Davis,CA,95616)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ECCE
ページ:
3793-3797
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)