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文献
J-GLOBAL ID：202002268360331204
整理番号：20A0634257
成長法の調整による熱起電力因子を改善するためのSnSe結晶の電気輸送特性の変調【JST・京大機械翻訳】
Modulating electrical transport properties of SnSe crystal to improve the thermoelectric power factor by adjusting growth method
Zhang Hang-Fei
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Lv Yang-Yang
(National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Xu Lu
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Luo Ye-Cheng
(National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Lu Hao-Min
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Wang C. W.
(Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Liu Z. K.
(School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, CAS-Shanghai Science Research Center, Shanghai 200031, People’s Republic of China)
,
Zhou Jian
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Chen Y. B.
(National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
,
Yao Shu-Hua
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 116 号： 9 ページ： 092103-092103-5 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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