文献
J-GLOBAL ID:202002268412136442
整理番号:20A1125454
Se_80Te_15Ge_5/p-Siヘテロ接合の電流電圧特性評価と光起電力特性【JST・京大機械翻訳】
Current-voltage characterizations and photovoltaic properties of Se80Te15Ge5/p-Si heterojunction
著者 (3件):
Farid A. S.
(Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt)
,
El-Nahass M. M.
(Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt)
,
Ali H. A. M.
(Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
126
号:
6
ページ:
407
発行年:
2020年
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)