文献
J-GLOBAL ID:202002268495347452
整理番号:20A2763578
フィールドストップ技術における4H-SiC IGBTのオン状態性能限界の理論的解析【JST・京大機械翻訳】
Theoretical Analysis of ON-State Performance Limit of 4H-SiC IGBT in Field-Stop Technology
著者 (2件):
Luo Peng
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
Madathil Sankara Narayanan Ekkanath
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
67
号:
12
ページ:
5621-5627
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)