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文献
J-GLOBAL ID:202002268604171184   整理番号:20A1691773

金属/絶縁体/金属ナノデバイスにおける抵抗スイッチングの電子的機構【JST・京大機械翻訳】

Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices
著者 (7件):
Raebiger Hannes
(Centro de Ciencias Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo Andre, SP, Brazil)
Raebiger Hannes
(Department of Physics, Yokohama National University, Yokohama, Japan)
Padilha Antonio Claudio M
(Centro de Ciencias Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo Andre, SP, Brazil)
Padilha Antonio Claudio M
(Brazillian Nanotechnology National Laboratory (LNNano)/CNPEM, Campinas 13083-970, Brazil)
Padilha Antonio Claudio M
(Flextronics Instituto de Tecnologia, Jaguariuna 13918-900, Brazil)
Reily Rocha Alexandre
(Instituto de Fisica Teorica, Universidade Estadual Paulista, Sao Paulo, SP, Brazil)
Dalpian Gustavo M
(Centro de Ciencias Naturais e Humanas, Universidade Federal do ABC, Santo Andre, SP, Brazil)

資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)

巻: 53  号: 29  ページ: 295302 (9pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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