文献
J-GLOBAL ID:202002268734070181
整理番号:20A0905458
広バンドギャップ半導体デバイスにより発生した高速立上り時間電圧下の部分放電検出戦略【JST・京大機械翻訳】
Partial Discharge Detection Strategies under Fast Rise Time Voltages Generated by Wide-bandgap Semiconductor Devices
著者 (4件):
Wei Zhuo
(The Ohio State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Columbus,OR,USA)
,
You Haoyang
(The Ohio State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Columbus,OR,USA)
,
Na Risha
(The Ohio State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Columbus,OR,USA)
,
Wang Jin
(The Ohio State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Columbus,OR,USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
EIC
ページ:
75-78
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)