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文献
J-GLOBAL ID：202002268838037226
整理番号：20A1885770
温度特性を考慮したアモルファスInGaZnO TFTのための解析的ドレイン電流と静電容量モデル【JST・京大機械翻訳】
Analytical Drain Current and Capacitance Model for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Temperature Characteristics
He Hongyu
(School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang, China)
,
Xiong Chao
(School of Photoelectric Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou, China)
,
Yin Junli
(School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang, China)
,
Wang Xinlin
(School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang, China)
,
Lin Xinnan
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China)
,
Zhang Shengdong
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 9 ページ： 3637-3644 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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