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J-GLOBAL ID:202002269107112606   整理番号:20A2342169

RF-MBEで成長させたIn_xGa_1-xN合金におけるRaman B_1(高)モードの挙動および結晶品質の評価【JST・京大機械翻訳】

Behaviour of Raman B1 (high) mode and evaluation of crystalline quality in the InxGa1-xN alloys grown by RF-MBE
著者 (4件):
Bhuiyan Ashraful G
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology (KUET), Khulna, Bangladesh)
Kuroda Kenji
(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui, Japan)
Islam Md Sherajul
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology (KUET), Khulna, Bangladesh)
Hashimoto Akihiro
(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui, Japan)

資料名:
Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)

巻: 43  号:ページ: 278  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0142A  ISSN: 0250-4707  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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