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J-GLOBAL ID：202002269107112606 整理番号：20A2342169

RF-MBEで成長させたIn_xGa_1-xN合金におけるRaman B_1(高)モードの挙動および結晶品質の評価【JST・京大機械翻訳】

Behaviour of Raman B₁ (high) mode and evaluation of crystalline quality in the In_xGa_1-xN alloys grown by RF-MBE

著者 (4件)：

Bhuiyan Ashraful G

(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology (KUET), Khulna, Bangladesh)

Kuroda Kenji

(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui, Japan)

Islam Md Sherajul

(Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology (KUET), Khulna, Bangladesh)

Hashimoto Akihiro

(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui, Japan)

資料名：

Bulletin of Materials Science (Bulletin of Materials Science)

巻： 43 号： 1 ページ： 278 発行年： 2020年
JST資料番号： T0142A ISSN： 0250-4707 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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