文献
J-GLOBAL ID:202002269327059759
整理番号:20A2553257
多目的遺伝的アルゴリズムを用いたSiC MOSFET動作回路モデルの最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimization of a SiC MOSFET behavioural circuit model by using a multi-objective genetic algorithm
著者 (6件):
Bazzano Gaetano
(STMicroelectronics,Catania,Italy)
,
Raffa Alessandra
(STMicroelectronics,Catania,Italy)
,
Rizzo Santi Agatino
(University of Catania,Catania,Italy)
,
Salerno Nunzio
(University of Catania,Catania,Italy)
,
Susinni Giovanni
(University of Catania,Catania,Italy)
,
Veneziano PierPaolo
(STMicroelectronics,Catania,Italy)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
ECCE
ページ:
2281-2286
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)