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文献
J-GLOBAL ID：202002269331069365
整理番号：20A2258228
負性容量FETに対する偏光勾配効果の解析とモデリング【JST・京大機械翻訳】
Analysis and Modeling of Polarization Gradient Effect on Negative Capacitance FET
Kao Ming-Yen
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Pahwa Girish
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Dasgupta Avirup
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Salahuddin Sayeef
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Hu Chenming
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 10 ページ： 4521-4525 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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