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文献
J-GLOBAL ID：202002269751706336
整理番号：20A0428754
磁性Weyl半金属Co_3Sn_2S_2薄膜のエピタキシャル成長と輸送特性【JST・京大機械翻訳】
Epitaxial Growth and Transport Properties of Magnetic Weyl Semimetal Co3Sn2S2 Thin Films
Li Shuhui
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Li Shuhui
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Gu Gangxu
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Gu Gangxu
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Liu Enke
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Liu Enke
(Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Germany)
,
Cheng Peng
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Cheng Peng
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Feng Baojie
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Feng Baojie
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Li Yongqing
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Li Yongqing
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Li Yongqing
(Songshan Lake Materials Laboratory, Guangdong, China)
,
Chen Lan
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Chen Lan
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Wu Kehui
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
,
Wu Kehui
(School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, China)
,
Wu Kehui
(Songshan Lake Materials Laboratory, Guangdong, China)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2 号： 1 ページ： 126-133 発行年： 2020年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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