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文献
J-GLOBAL ID：202002269754859201
整理番号：20A0905289
3D Ge凝縮により作製した3D積層歪SiGe/Siゲートオールアラウンド(GAA)構造【JST・京大機械翻訳】
3D-stacked Strained SiGe/Ge Gate-All-Around (GAA) Structure Fabricated by 3D Ge Condensation
Suh Junkyo
(Stanford University,Electrical Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Meng Andrew C.
(Stanford University,Material Science & Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Jaikissoon Marc
(Stanford University,Electrical Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Braun Michael
(Stanford University,Material Science & Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Kim Taeho R.
(Stanford University,Material Science & Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Marshall Ann F.
(Stanford University,Material Science & Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Pakzad Anahita
(Gatan Inc.,Pleasanton,CA,USA,94588)
,
McIntyre Paul C.
(Stanford University,Material Science & Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
,
Saraswat Krishna C.
(Stanford University,Material Science & Engineering Dept.,Stanford,CA,USA,94305)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： DRC ページ： 249-250 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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