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文献
J-GLOBAL ID：202002269968902213
整理番号：20A1885806
相補型急勾配トンネル電界効果トランジスタ回路に及ぼすスイッチング電圧の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Switching Voltage on Complementary Steep-Slope Tunnel Field Effect Transistor Circuits
Kato Kimihiko
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)
,
Tanamoto Tetsufumi
(Department of Information and Electronic Engineering, Teikyo University, Utsunomiya, Japan)
,
Mori Takahiro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)
,
Morita Yukinori
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)
,
Matsukawa Takashi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan)
,
Takenaka Mitsuru
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Takagi Shinichi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 9 ページ： 3876-3882 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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