文献
J-GLOBAL ID:202002270423651030
整理番号:20A2319907
高電流動作のためのVバンドInP DDR IMPATT【JST・京大機械翻訳】
V-Band InP DDR IMPATTs for High Current Operation
著者 (4件):
Bhakta Jyotirmayee
(IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103)
,
Mukhopadhyay S.J.
(IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103)
,
Banerjee Suranjana
(IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103)
,
Mitra M.
(IIEST Shibpur,Department of Electronics and Telecommunication,Howrah,India,711103)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
UEMCOS
ページ:
1-3
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)