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文献
J-GLOBAL ID：202002270452923067
整理番号：20A0333802
アノード選択フッ素処理による高性能準垂直GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
High-performance quasi-vertical GaN Schottky barrier diode with anode selective fluorine treatment
Chen Jiabo
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Bian Zhaoke
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Liu Zhihong
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Ning Jing
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Duan Xiaoling
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Zhao Shenglei
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Wang Haiyong
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Tang Qing
(Chengdu Yaguang Electronics Co., Ltd., Chengdu 610000, People’s Republic of China)
,
Wu Yinhe
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Song Yuqin
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Zhang Jincheng
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 34 号： 11 ページ： 115019 (6pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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