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文献
J-GLOBAL ID：202002270733450769
整理番号：20A1056908
PVT成長4H-SiC結晶における基底面転位分布と局所基底面曲げとの関係【JST・京大機械翻訳】
Relationship Between Basal Plane Dislocation Distribution and Local Basal Plane Bending in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Ailihumaer Tuerxun
(Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA)
,
Peng Hongyu
(Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA)
,
Raghothamachar Balaji
(Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA)
,
Dudley Michael
(Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA)
,
Chung Gilyong
(Compound Semiconductor Solutions, Dupont Electronics and Imaging, Auburn, MI, USA)
,
Manning Ian
(Compound Semiconductor Solutions, Dupont Electronics and Imaging, Auburn, MI, USA)
,
Sanchez Edward
(Compound Semiconductor Solutions, Dupont Electronics and Imaging, Auburn, MI, USA)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 49 号： 6 ページ： 3455-3464 発行年： 2020年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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