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文献
J-GLOBAL ID:202002270785936487   整理番号:20A2048779

ミストCVD法によるCu3VO4薄膜の形成における溶媒の影響

Effect of solvent in synthesis of Cu3VO4 thin film by mist CVD method
著者 (2件):
喜多正雄
(富山工高専)
大門貴寛
(富山工高専)

資料名:
日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)

巻: 2020  ページ: ROMBUNNO.1P198  発行年: 2020年03月02日 
JST資料番号: X0505B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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