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文献
J-GLOBAL ID：202002271221313590
整理番号：20A1610615
SiC VD-MOSFETにおけるシングルイベント漏れ電流機構の重イオンマイクロビーム研究【JST・京大機械翻訳】
Heavy-Ion Microbeam Studies of Single-Event Leakage Current Mechanism in SiC VD-MOSFETs
Martinella C.
(Engineering Department, CERN, Geneva, Switzerland)
,
Ziemann T.
(Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Stark R.
(Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Tsibizov A.
(Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Voss K. O.
(Material Research Department, GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany)
,
Alia R. G.
(Engineering Department, CERN, Geneva, Switzerland)
,
Kadi Y.
(Engineering Department, CERN, Geneva, Switzerland)
,
Grossner U.
(Advanced Power Semiconductor Laboratory (APS), ETHZ Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Javanainen A.
(Department of Physics, University of Jyvaeskylae, Jyvaeskylae, Finland)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 67 号： 7 ページ： 1381-1389 発行年： 2020年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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