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文献
J-GLOBAL ID：202002271554927664
整理番号：20A1235493
高露光耐久性,高量子効率(>90%)背面照射軟X線CMOSセンサ
High-exposure-durability, high-quantum-efficiency (>90%) backside-illuminated soft-X-ray CMOS sensor
Harada Tetsuo
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo, Kouto, Hyogo 678-1205, Japan)
,
Teranishi Nobukazu
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo, Kouto, Hyogo 678-1205, Japan)
,
Teranishi Nobukazu
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
,
Watanabe Takeo
(Center for EUV Lithography, LASTI, University of Hyogo, Kouto, Hyogo 678-1205, Japan)
,
Zhou Quan
(Gpixel Inc.130033, Changchun, Jilin, People’s Republic of China)
,
Bogaerts Jan
(Gpixel Inc.130033, Changchun, Jilin, People’s Republic of China)
,
Wang Xinyang
(Gpixel Inc.130033, Changchun, Jilin, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 13 号： 1 ページ： 016502 (4pp) 発行年： 2020年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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