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J-GLOBAL ID：202002272012164217 整理番号：20A1011656

神経形態コンピューティング応用のための中性酸素照射強化形成レスZnOベース透明アナログメモリスタデバイス【JST・京大機械翻訳】

Neutral oxygen irradiation enhanced forming-less ZnO-based transparent analog memristor devices for neuromorphic computing applications

著者 (7件)：

Simanjuntak Firman Mangasa

(World Premier Institute (WPI) - Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)

Simanjuntak Firman Mangasa

(Zepler Institute of Photonics and Electronics, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom)

Ohno Takeo

(Department of Innovative Engineering, Oita University, Oita 870-1192, Japan)

Chandrasekaran Sridhar

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Tseng Tseung-Yuen

(Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan)

Samukawa Seiji

(World Premier Institute (WPI) - Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)

Samukawa Seiji

(Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)

資料名：

Nanotechnology (Nanotechnology)

巻： 31 号： 26 ページ： 26LT01 (9pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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