文献
J-GLOBAL ID:202002272134122719
整理番号:20A1068824
「直接非晶質飛跡形成に対するしきい値以下の電子エネルギー堆積によるLiNbO_3における損傷発展」[J.Appl.Phys.126,125105(2019)]に関するコメント【JST・京大機械翻訳】
Comment on “Damage evolution in LiNbO3 due to electronic energy deposition below the threshold for direct amorphous track formation” [J. Appl. Phys. 126, 125105 (2019)]
著者 (1件):
Szenes G.
(Department of Materials Physics, Eotvos University, PO Box 32, H-1518 Budapest, Hungary)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
127
号:
15
ページ:
156101-156101-3
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)