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文献
J-GLOBAL ID：202002272686404148
整理番号：20A0634386
原子層堆積により作製した結晶シリコン上のTiOの不動態化性能に及ぼす水素プラズマ処理の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiO on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition
Miyagawa Shinsuke
(Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
,
Gotoh Kazuhiro
(Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
,
Ogura Shohei
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Wilde Markus
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Kurokawa Yasuyoshi
(Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
,
Fukutani Katsuyuki
(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Usami Noritaka
(Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38 号： 2 ページ： 022410-022410-6 発行年： 2020年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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