文献
J-GLOBAL ID:202002273890498455
整理番号:20A0743200
自己集合GeSe/Si(001)ナノアイランドの形態に及ぼすパルスガンマ中性子照射の影響について【JST・京大機械翻訳】
On the Influence of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Morphology of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands
著者 (6件):
Ivanova M. M.
(Federal State Scientific and Production Center “Sedakov, Research Institute of Measuring Systems”, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Filatov D. O.
(Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Nezhdanov A. V.
(Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Shengurov V. G.
(Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Chalkov V. Yu.
(Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Denisov S. A.
(Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques
(Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques)
巻:
14
号:
1
ページ:
169-175
発行年:
2020年
JST資料番号:
W4669A
ISSN:
1027-4510
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)