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文献
J-GLOBAL ID：202002274074707192
整理番号：20A1099166
強誘電性HfO_2ゲート絶縁体によるVO_2金属-絶縁体転移の変調【JST・京大機械翻訳】
Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator
Yajima Takeaki
(Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Yajima Takeaki
(PREST, Japan Science and Technology Agency, Saitama, 332-0012, Japan)
,
Nishimura Tomonori
(Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Tanaka Takahisa
(Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Uchida Ken
(Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan)
,
Toriumi Akira
(Department of Materials Engineering, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo, 113-8656, Japan)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 6 号： 5 ページ： e1901356 発行年： 2020年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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