文献
J-GLOBAL ID:202002274084650644
整理番号:20A0486355
高圧下でのメタセシス反応を用いた新しい岩塩型三元窒化物半導体MgSnN_2の合成【JST・京大機械翻訳】
Synthesis of a Novel Rocksalt-Type Ternary Nitride Semiconductor MgSnN2 Using the Metathesis Reaction under High Pressure
著者 (5件):
Kawamura Fumio
(High pressure group, National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tskuba, 305-0044, Ibaraki, Japan)
,
Imura Masataka
(Widegap semiconductor group, National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tskuba, 305-0044, Ibaraki, Japan)
,
Murata Hidenobu
(Department of Materials Science, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, 599-8531, Sakai Osaka, Japan)
,
Yamada Naoomi
(Department of Applied Chemistry, Chubu University, 1200 Matsumoto, 487-8501, Kasugai Aichi, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(High pressure group, National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tskuba, 305-0044, Ibaraki, Japan)
資料名:
European Journal of Inorganic Chemistry
(European Journal of Inorganic Chemistry)
巻:
2020
号:
5
ページ:
446-451
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0264C
ISSN:
1434-1948
CODEN:
EJICFO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)