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文献
J-GLOBAL ID：202002274098556435
整理番号：20A2709404
Ramanイメージングおよびチップ増強Raman散乱を用いて研究した4H-SiCのSiおよびC面上に成長させたエピタキシャルグラフェン間の相互作用【JST・京大機械翻訳】
Interactions Between Epitaxial Graphene Grown on the Si- and C-Faces of 4H-SiC Investigated Using Raman Imaging and Tip-Enhanced Raman Scattering
Uemura Shohei
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Vantasin Sanpon
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Kitahama Yasutaka
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Tanaka Yoshito Yannick
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Suzuki Toshiaki
(UNISOKU Co. Ltd, Hirakata, Japan)
,
Doujima Daichi
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Kaneko Tadaaki
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Ozaki Yukihiro
(School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo, Japan)
,
Ozaki Yukihiro
( Toyota Physical and Chemical Research Institute, Nagakute, Japan)
資料名：
Applied Spectroscopy
(Applied Spectroscopy)
巻： 74 号： 11 ページ： 1384-1390 発行年： 2020年
JST資料番号： A0429A ISSN： 0003-7028 CODEN： APSPA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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