文献
J-GLOBAL ID:202002274334122508
整理番号:20A0819981
低温ALDによるAl_2O_3ゲート絶縁体を持つフレキシブルIGZO TFTのシナプス挙動【JST・京大機械翻訳】
Synaptic behavior of flexible IGZO TFTs with Al2O3 gate insulator by low temperature ALD
著者 (5件):
Park Shinyoung
(Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707)
,
Jang Jun Tae
(Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707)
,
Choi Sung-Jin
(Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707)
,
Kim Dong Myong
(Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707)
,
Hwan Kim Dae
(Kookmin University,School of Electrical Engineering,Seoul,Korea,02707)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
NANO
ページ:
517-520
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)