文献
J-GLOBAL ID:202002274440335300
整理番号:20A0609386
パルスレーザ蒸着により作製したSi及びTa共ドープGa_2O_3膜に及ぼす異なる基板の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of different substrates on Si and Ta co-doped Ga2O3 films prepared by pulsed laser deposition
著者 (5件):
Zheng Tao
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
,
He Wei
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
,
Wang Liyun
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
,
Li Jingbo
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
,
Zheng Shuwen
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
533
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)